三星电子株式会社李受营获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利用于检查半导体器件的检查装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113567774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110450857.3，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权用于检查半导体器件的检查装置和方法是由李受营;金钟敏;朴日锡;申光一;全忠森设计研发完成，并于2021-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于检查半导体器件的检查装置和方法在说明书摘要公布了：公开了用于检查半导体器件的检查装置和方法。检查装置包括：载物台，其上布置有半导体器件；第一光源，其将高频光照射到半导体器件的检查区域上，以减小半导体器件中的PN结的势垒；束扫描器，被布置在半导体器件上方，并且将带电粒子束照射到半导体器件的检查区域上以产生二次电子；以及，缺陷检测器，其产生与检查区域相对应的检测图像，并且基于参考图像和多个检测图像之间的电压对比，从多个检测图像中检测缺陷图像，缺陷图像指示半导体器件的缺陷。
本发明授权用于检查半导体器件的检查装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检查半导体器件的检查装置，包括： 载物台，被配置为支撑半导体器件，所述半导体器件包括多个PMOS器件和多个NMOS器件； 第一光源，被配置为将高频光照射到所述半导体器件的检查区域上，以减小所述半导体器件中的PN结的势垒； 束扫描器，被布置在所述半导体器件上方，并且被配置为将带电粒子束照射到所述半导体器件的检查区域上，使得响应于所述带电粒子束从所述检查区域产生二次电子；以及 缺陷检测器，被配置为响应于所述二次电子的电压产生与所述检查区域相对应的检测图像，以及基于参考图像和多个检测图像之间的电压对比，从所述多个检测图像中检测缺陷图像，所述缺陷图像指示所述半导体器件的缺陷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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