日月光半导体制造股份有限公司胡逸群获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利衬底和半导体封装装置以及用于制造所述衬底和半导体封装装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011253625.0，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权衬底和半导体封装装置以及用于制造所述衬底和半导体封装装置的方法是由胡逸群;唐心陆设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底和半导体封装装置以及用于制造所述衬底和半导体封装装置的方法在说明书摘要公布了：提供一种衬底、半导体封装装置和制造半导体封装装置的方法。所述衬底包含低密度布线结构、第一中等密度布线结构和高密度布线结构。所述第一中等密度布线结构电连接到所述低密度布线结构。所述高密度布线结构电连接到所述低密度布线结构。所述高密度布线结构和所述第一中等密度布线结构并排安置。所述低密度布线结构的电路层的线距大于所述第一中等密度布线结构的电路层的线距。所述第一中等密度布线结构的所述电路层的所述线距大于所述高密度布线结构的电路层的线距。
本发明授权衬底和半导体封装装置以及用于制造所述衬底和半导体封装装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其包括： 高密度布线结构，其包含一介电结构和嵌入于所述介电结构中的多个电路层，其中所述高密度布线结构从底面到顶面系由多层有机材料层堆叠而成； 介电层，包封所述高密度布线结构； 低密度布线结构，安置于所述介电层下，且电连接所述高密度布线结构，其中所述低密度布线结构的电路层的线距大于所述高密度布线结构的多个电路层的线距；和 第一中等密度布线结构，其包含一介电结构和嵌入于所述介电结构中的多个电路层，其中所述第一中等密度布线结构从底面到顶面系由多层有机材料层堆叠而成，其中所述低密度布线结构的所述电路层的线距大于所述第一中等密度布线结构的所述多个电路层的线距，且所述第一中等密度布线结构的所述多个电路层的所述线距大于所述高密度布线结构的所述多个电路层的线距，其中所述介电层更包封所述第一中等密度布线结构，其中所述低密度布线结构更电连接所述第一中等密度布线结构。
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