三星电子株式会社金东佑获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010596850.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权集成电路器件是由金东佑;权赫宇;秋成旼;崔炳德;金基烈;金钟天;金衡洙设计研发完成，并于2020-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件在说明书摘要公布了：提供集成电路器件。集成电路器件包括：下电极，形成在基底上；以及上支撑结构，围绕下电极设置并支撑下电极。上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极并沿平行于基底的横向方向延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间并具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。
本发明授权集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括： 下电极，形成在基底上；以及 上支撑结构，被构造为支撑下电极，上支撑结构围绕下电极设置， 其中，上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极，并且在与基底平行的横向方向上延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间，并且具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案的在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小， 其中，上支撑图案和上间隔件支撑图案包括碳原子， 其中，上间隔件支撑图案的碳原子含量比上支撑图案的碳原子含量高。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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